Получение моделей элементов (моделирование элементов) в общем случае — процедура неформализованная. Основные решения, касающиеся выбора вида математических соотношений, характера используемых переменных и параметров, принимает проектировщик. В то же время такие операции, как расчет численных значений параметров модели, определение областей адекватности и др., алгоритмизированы и решаются на ЭВМ. Поэтому моделирование элементов обычно выполняется специалистами конкретных технических областей с помощью традиционных средств экспериментальных исследований и средств САПР.
Методы получения функциональных моделей элементов делят на
Несмотря на эвристический характер многих операций моделирования, имеется ряд положений и приемов, общих для получения моделей различных объектов. Достаточно общий характер имеют методика
Применение методики состоит из следующих этапов:
Для целей моделирования используют
Выбор вида зависимости выходного параметра у (в общем случае рассматривается вектор выходных параметров Y ) от qk, объединенных в вектор факторов Q, осуществляется проектировщиком. Чаще всего в методах планирования эксперимента используются модели линейные
или квадратичные
$$y=AB$$где А — вектор — строка коэффициентов (параметров) модели; В — вектор, включающий факторы qk, те или иные произведения из двух, трех или более факторов и, возможно, также квадраты факторов qk; k = 1, ..., р; р — число факторов.
Число опытов N, как правило, должно превышать число определяемых параметров вектора А. Параметры рассчитывают по
где $$\ell$$ — номер опыта.
В зависимости от способов планирования преимущества
Связь между у и Q может быть не функциональной, а статистической, что особенно характерно при ak в векторе А выполняют коэффициенты относительной регрессии.
Рассмотрим алгоритм вычисления коэффициентов ak. По результатам Му, Мк1 среднеквадратичных отклонений $$\sigma _{у}$$, $$\sigma _{k}$$, соответственно, для выходного у и внешних qk параметров, а также коэффициенты корреляции rk между у и qk, образующие вектор R, и коэффициенты корреляции dkj между факторами qk и qj, образующие матрицу D. Далее решается система линейных алгебраических уравнений
и полученный вектор $$\eta = (\eta _{1}, \eta _{2}, \dots , \eta _{р})$$ используется при расчете относительных
Если факторы qk некоррелированы, то D — единичная матрица и можно обойтись без решения системы (15.4), так как $$\eta _{к} = r_{k}$$.
Поскольку в методике
Математические модели деталей и процессов на микроуровне отражают физические процессы, протекающие в сплошных средах и непрерывном времени. Независимыми переменными в этих моделях являются пространственные координаты и время. В качестве зависимых переменных выступают
Для получения законченной математической модели, используемой в задачах проектирования, необходимо дополнительно выполнить ряд процедур:
Используют два основных подхода к дискретизации и
Пользователь САПР средствами входного языка задает исходную информацию о конфигурации проектируемого объекта, о способе дискретизации — разделения среды на элементы, — о физических свойствах участков среды. Формирование модели объекта, т. е. разделение среды на элементы, выбор
Основные уравнения математической физики, используемые в моделях проектируемых объектов. Процессы, протекающие в техническом объекте при его функционировании, по своей физической природе могут быть разделены на:
Каждому типу процессов в математической модели соответствует своя подсистема, основанная на определенных уравнениях математической физики. Рассмотрим примеры уравнений, составляющих основу математических моделей технических объектов на микроуровне.
Электрические процессы в современных полупроводниковых приборах с достаточной точностью удается описать с помощью уравнений непрерывности и Пуассона. Уравнения непрерывности выражают скорости изменения концентраций свободных носителей заряда и записываются отдельно для дырок и электронов:
$$\frac{\partial p}{\partial t}=\frac 1 q - div J_p + g_p$$ $$\frac{\partial n}{\partial t}=\frac 1 q - div J_n + g_n$$где p и n — концентрации дырок и электронов, соответственно; q — заряд электрона; gP и gn — скорости процесса генерации-рекомбинации, соответственно, дырок и электронов;
где q — плотности дырочного и электронного токов; $$\mu _{p}, \mu _{n}$$ — подвижности; Dp, Dn — коэффициенты диффузии дырок и электронов; $$\phi$$ — электрический потенциал.
Уравнения (15.8)-(15.9) показывают, что причинами изменения концентрации носителей могут быть неодинаковость числа носителей, втекающих (и вытекающих) в элементарный объем полупроводника (тогда $$div J\ne 0$$ ), и нарушение равновесия между процессами генерации и рекомбинации носителей. Уравнения (15.8) и (15.9), называемые уравнениями плотности тока, характеризуют причины протекания электрического тока в полупроводнике: электрический дрейф под воздействием электрического поля ( $$grad \ \varphi \ne 0$$ ) и диффузию носителей при наличии градиента концентрации. Уравнение Пуассона характеризует зависимость изменений в пространстве напряженности электрического поля $$Е = –grad \ \varphi$$ от распределения плотности электрических зарядов $$\rho$$:
$$divE = \rho/ (\varepsilon\varepsilon_0)$$где $$\varepsilon$$ — относительная диэлектрическая проницаемость среды; $$\varepsilon _{0}$$ — диэлектрическая постоянная.
В качестве краевых условий в моделях полупроводниковых приборов используют зависимости потенциалов на контактах от времени, принимают значения концентраций носителей на границе между внешним выводом и полупроводником равными равновесным концентрациям ро и n0, для границ раздела полупроводника и окисла задаются скоростью поверхностной рекомбинации gS, что определяет величины нормальных к поверхности раздела составляющих плотностей тока Jp и Jn и т. д.
Результат решения уравнений непрерывности и Пуассона при известных краевых условиях — это поля потенциала и концентраций подвижных носителей в различных областях полупроводниковой структуры. Знание этих полей позволяет оценить электрические параметры прибора.
В основе моделей диффузионных процессов, используемых, в частности, для описания технологических операций диффузии примесей при изготовлений интегральных схем и полупроводниковых приборов, лежит уравнение диффузии
$$\partial N/ \partial t=div(D grad N),$$где N — концентрация примеси; D — коэффициент диффузии.
Краевые условия представлены зависимостью распределения примеси N в объеме полупроводника в начальный момент времени и зависимостью поверхностной концентрации от времени.
На использовании закономерностей протекания тепловых процессов основано действие многих теплофизических установок. В РЭС полезные свойства обусловлены закономерностями электрических процессов, однако рассеяние мощности и изменения температуры оказывают заметное влияние на характер функционирования аппаратуры. Поэтому в моделях РЭС, как и в моделях многих устройств иной природы, приходится учитывать тепловые процессы. Теплоперенос в твердых телах описывается уравнением теплопроводности
$$Cp\partial T/ \partial T=div(\lambda grad T)+g_Q,$$где T — температура; С — удельная теплоемкость; р — плотность; $$\lambda$$ — коэффициент теплопроводности; gQ — количество теплоты, выделяемой в единицу времени в единице объема.
Для одного и того же объекта (детали) на микро- и макроуровнях используют разные математические модели. На микроуровне ММ должна отражать внутренние по отношению к объекту процессы, протекающие в сплошных средах. На макроуровне ММ того же объекта служит для отражения только тех его свойств, которые характеризуют взаимодействие этого объекта с другими элементами в составе исследуемой системы [51].
Математические модели систем (ММС) формируют из
Уравнения, входящие в ММЭ, называют компонентными. Наряду с
В используемых в САПР методах формирования ММС принято моделируемую систему представлять в виде совокупности физически однородных подсистем. Каждая подсистема описывает процессы определенной физической природы, например механические, электрические, тепловые, гидравлические. Как правило, для описания состояния одной подсистемы достаточно применять
Особенностью топологических уравнений является то, что каждое из них связывает однотипные
Элементы подсистем бывают простыми и сложными. Элемент называют простым, если соответствующая ему ММЭ может быть представлена в виде одного линейного уравнения, связывающего переменную типа потенциала U и переменную типа потока I, характеризующие состояние данного элемента.
В физически однородных подсистемах различают три типа простых элементов. Это элементы емкостного, индуктивного и резистивного типов. Соответствующие им ММЭ имеют вид
$$CdU/dt=I; LdI/dt=U; U=RI,$$где С, L, U, I — параметры элементов.
Элементы подсистем в зависимости от числа однотипных U и I, определяется так же, как простой элемент, если снять условие линейности уравнения. Многополюсник можно представить как совокупность взаимосвязанных двухполюсников.
Для представления математических моделей на макроуровне применяют несколько форм.
Инвариантная форма — представление модели в виде системы уравнений, записанной на общепринятом математическом языке, безотносительно к методу численного решения. Применительно к системам обыкновенных дифференциальных уравнений различают две инвариантные формы: нормальную и общую, определяемые тем, в каком виде — явном или неявном относительно вектора производных — представлена система.
Ряд форм модели получается при преобразовании ее уравнений на основе формул и требований выбранного численного метода решения. Так, численное решение дифференциальных уравнений как в частных производных, так и в обыкновенных требует их предварительного преобразования — дискретизации и
Алгебраизованная форма — результат представления дифференциальных уравнений в полученных после дискретизации точках в алгебраизованном виде с помощью формул численного интегрирования. Ряд численных методов решения основан на линеаризации исходных уравнений.
Линеаризованная форма модели — представление уравнений в линейном виде. Алгебраизация и линеаризация могут осуществляться по отношению ко всем или только к избранным переменным, уравнениям или их частям, что увеличивает разнообразие возможных форм представления моделей.
Формы представления моделей определяются также используемыми языковыми средствами. Наряду с традиционным математическим языком применяют алгоритмические языки, а также те или иные графические изображения. Рассмотрим особенности представления моделей в виде эквивалентных схем.
Последние облегчают пользователю восприятие модели и приводят к представлению модели в той или иной схемной форме, например представление моделей в виде эквивалентных схем, графов. К таким формам относится также представление разностных уравнений с помощью шаблонов.
В разных областях техники применяют специфические системы обозначений элементов на эквивалентных схемах. Будем использовать в дальнейшем единую систему обозначений для элементов всех подсистем, обычно применяемую при изображении электрических эквивалентных схем. При этом элементы представляют собой двухполюсники, которые могут быть пяти различных видов, их условные обозначения приведены на рис 15.1а.
Получение эквивалентных схем — обычная для инженеров-схемотехников операция, выполняемая при анализе функционирования радиоэлектронных устройств. Переход от принципиальной электрической схемы к эквивалентной заключается в замене обозначений электронных приборов обозначениями двухполюсников (рис 15.1а) и добавлении ветвей, отображающих учитываемые паразитные параметры. Не вызывает затруднений и составление на основе электрогидравлических и электротепловых аналогий эквивалентных схем, отражающих гидравлические, пневматические и тепловые процессы в проектируемых устройствах.
Составление эквивалентных схем для механических систем начинается с выбора системы координат, начало О которой должно быть связано с инерциальной системой отсчета. Далее формируются п эквивалентных схем, где п — число степеней свободы. В общем случае возможны три эквивалентные схемы, соответствующие поступательным движениям вдоль координатных осей, и три эквивалентные схемы, которые соответствуют вращательным движениям вокруг осей, параллельных координатным осям.
(рис 15.1) Условные обозначения двухполюсных элементовРассмотрим правила составления эквивалентных схем на примере одной из эквивалентных схем для поступательного движения:
А% с учитываемой массой Сь в эквивалентной схеме выделяется узел I, и между узлом i и узлом О включается двухполюсник массы С7 ;Ар и Aq отражается двухполюсником механического сопротивления, включаемым между узлами р и q ;Ар и Aqy, а также другие упругие взаимодействия контактируемых тел Ар и Aq отражаются двухполюсником гибкости (жесткости), включаемым между узлами р и q.В качестве примера на рис 15.1в приведена эквивалентная схема, которая моделирует вертикальные скорости и усилия, возникающие в элементах движущегося транспортного устройства — оно условно изображено на рис 15.1б в виде платформы В и колес А1 и А2. Здесь учитываются массы платформы Св и колес Са, жесткости колес LA и рессор LD, a также веса Рв, Рл1 Рл2 платформы и колес. Внешние воздействия отражены источниками скорости U.
Часто на эквивалентных схемах рядом с обозначением нелинейного элемента указан его тип или записано его компонентное уравнение.
Для отражения взаимосвязей подсистем различной физической природы, из которых состоит моделируемая техническая система, в эквивалентные схемы подсистем вводят специальные преобразовательные элементы. Различают три вида связей подсистем. Трансформаторная и гираторная связи выражают соотношения между фазовыми переменными двух подсистем, этим типам связей соответствуют преобразовательные элементы, представляемые парами источников тока или напряжения. Третий вид связи выражает влияние С, L или R от g — =SV, а для источника силы в механической подсистеме — выражение F = SP, где V — скорость перемещения поршня; S — площадь поршня; Р — давление жидкости в цилиндре.
Примеры математических моделей элементов электронных схем. Для конденсаторов, катушек индуктивности и резисторов чаще всего применяют простые модели (15.13). Примерами сложных элементов являются транзисторы, диоды, трансформаторы.
Для получения официальных документов о завершении программы дополнительного профессионального образования (удостоверения о повышении квалификации, дипломов о профессиональной переподготовке и MBA) необходимо предоставить:
Внимание! Вы можете не заказывать доставку бумажной версии официального документы, а скачать его в электронном виде и распечатать самостоятельно. Информация о выданном документе в течение 1 месяца загружается в Федеральную информационную систему «Федеральный реестр сведений о документах об образовании и (или) о квалификации, документах об обучении» - ФИС ФРДО.
Доступ на новый сайт осуществляется с использованием адреса электронной почты, который был указан вами при регистрации на "старом". Мы постарались перенести все ваши данные с прежнего ресурса, однако не исключена вероятность потери части информации.
При возникновении проблемы со входом, воспользуйтесь функцией сброса пароля
Если вы обнаружите несоответствия, пожалуйста, сообщите нам.